劃片工藝流程

晶圓經(jīng)過前道工序后芯片制備完成，還需要經(jīng)過切割使晶圓上的芯片分離下來，最后進(jìn)行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同：

厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割；

厚度不到100um的晶圓一般使用激光切割，激光切割可以減少剝落和裂紋的問題，但是在100um以上時，生產(chǎn)效率將大大降低；

厚度不到30um的晶圓則使用等離子切割，等離子切割速度快，不會對晶圓表面造成損傷，從而提高良率，但是其工藝過程更為復(fù)雜；

為了保護(hù)晶圓在切割過程中免受外部損傷，事先會在晶圓上貼敷膠膜，以便保證更安全的“切單”?！氨趁鏈p薄（Back Grinding）”過程中，膠膜會貼在晶圓的正面。但與此相反，在“刀片”切割中，膠膜要貼在晶圓的背面。而在共晶貼片（Die Bonding，把分離的芯片固定在PCB或定架上）過程中，貼會背面的這一膠膜會自動脫落。切割時由于摩擦很大，所以要從各個方向連續(xù)噴灑DI水（去離子水）。而且，葉輪要附有金剛石顆粒，這樣才可以更好地切片。此時，切口（刀片厚度：凹槽的寬度）必須均勻，不得超過劃片槽的寬度。

很長一段時間，鋸切一直是被最廣泛使用的傳統(tǒng)的切割方法，其最大的優(yōu)點就是可以在短時間內(nèi)切割大量的晶圓。然而，如果切片的進(jìn)給速度（Feeding Speed）大幅提高，小芯片邊緣剝落的可能性就會變大。因此，應(yīng)將葉輪的旋轉(zhuǎn)次數(shù)控制在每分鐘30000次左右。

晶圓劃片機

晶圓切割時，經(jīng)常遇到較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和先進(jìn)對準(zhǔn)運算的設(shè)備。當(dāng)用窄跡道切割晶圓時，應(yīng)選擇盡可能最薄的刀片?？墒?，很薄的刀片(20μm)是非常脆弱的，更容易過早破裂和磨損。結(jié)果，其壽命期望和工藝穩(wěn)定性都比較厚的刀片差。對于50~76μm跡道的刀片推薦厚度應(yīng)該是20~30μm。

刀痕，自動校準(zhǔn)基準(zhǔn)線位置，防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能精確進(jìn)行測高并同步切割作業(yè)時對切割刀刃進(jìn)行實時檢測。清洗部位配備水汽二流體清洗裝置，能對加工物進(jìn)行高效清洗。半自動劃片機Disco DAD36501臺可作業(yè)8吋wafer，含自動光學(xué)補償、聚焦及自認(rèn)準(zhǔn)特征點功能，配有高低倍兩種鏡頭，可用于切割道寬度測量、基準(zhǔn)線補償調(diào)整等?？勺詣訖z測切割刀痕，自動校準(zhǔn)基準(zhǔn)線位置，防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能精確進(jìn)行測高并同步切割作業(yè)時對切割刀刃進(jìn)行實時檢測。